Treść: Układy CMOS (ang. Complementary MOS) zawierają w swej strukturze tranzystory MOSFET (zwane w skrócie tranzystorami MOS) zarówno z kanałem typu N jak i typu P. Tranzystory te tworzą tak zwane pary komplementarne. Każda taka para zawiera tranzystory MOS o przewodnictwie P.
Technologia CMOS jest obecnie dynamicznie rozwijającą się techniką scalania układów cyfrowych (a także i analogowych). Powstało wiele odmian tych układów. Mają one coraz lepsze parametry dynamiczne. Dzięki nowym technologiom wytwarzania umożliwiającym większe upakowanie elementów są produkowane też układy CMOS wielkiego (LSI) i bardzo wielkiego (VLSI) stopnia scalenia.
Układy MOS są wrażliwe na przebicia ładunkiem elektrostatycznym. Wynika to ze względnie dużych pojemności występujących na wejściach układów. Izolowana bramka wraz z kanałem stanowi kondensator o dość dużej pojemności ze względu na małą odległość "okładek" kondensatora. Warstwa tlenku izolująca bra...